到这里，经过一系列的打磨和刻蚀之后，硅片表面已经很光滑了，但用来制造芯片还不够光滑，因为在之后需要光刻机把图形投影到硅片上。
光刻投影可以类比投影看电影，如果投影幕布不够平整，有起伏的倾角或者局部的凹凸，那投射上去的影像就会变形失真，影响观看体验。
在光刻时硅片就相当于幕布，光刻的图像尺寸和精度都是纳米级的，所以要求硅片表面是一个完美的平面，一点点起伏参差或者局部凹凸都会影响光刻效果。
根据资料中的建议，12寸硅片的整体平整度要小于60纳米，这相当于在电影院挂一块IMAX幕布，幕布起伏比一根头发丝还要细，为了达到这种极致的平坦，需要对硅片进行第8步：化学机械抛光，简称CMP。
这一步是结合了物理和化学的理综型抛光手段，具体做法是将硅片装在旋转的抛光仪器上，下方表面薄层会先被研磨液化学氧化，再被抛光垫物理打磨，这一步硅片厚度会再打薄5微米左右，直到被抛光成完美的镜面，这样就得到了一枚抛光片。
这一步最复杂，陈地忠虽然找到了化学机械抛光机，但是还要调配适合的抛光液，抛光液中包括研磨料、PH值调配剂、氧化剂、分散剂和表面活性剂，这就把陈地忠难住了，只能草草了事。
第9步：湿法清洗。
用去离子水和各种化学溶剂进行清洗，去掉制程中黏附在硅片表面的各种尘埃和杂质，这些颗粒物会影响芯片的制造流程，造成器件的短路或者开路。
除了要严格地控制污染物密度之外，其颗粒大小往往不能超过特征尺寸的一半。
所以在先进制程中，能允许的单个颗粒物直径最多只有几纳米。
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